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SMARTi LU射频芯片支持超高速多模2G/3G/LT

2009-05-05   来源:互联网   点击:
  SMARTi LU是一颗符合3GPP Rel 7和Rel 8规范、高集成、支持2G 3G LTE多模式的射频发射器件。英飞凌无线通讯事业部副总裁兼射频终端业务部总经理Stefan Wolff表示,英飞凌研发的第二代用于LTE(Long-Term-Ev

  SMARTi LU是一颗符合3GPP Rel.7和Rel.8规范、高集成、支持2G/3G/LTE多模式的射频发射器件。英飞凌无线通讯事业部副总裁兼射频终端业务部总经理Stefan Wolff表示,英飞凌研发的第二代用于LTE(Long-Term-Evolution)设备的射频发射器件SMARTi LU已可以向客户提供样片。SMARTi LU作为一颗采用65nm技术CMOS工艺的单芯片射频发射器件,能够全面满足2G/3G/LTE各项射频功能,其配置的DigRF数字接口能够与基带芯片直接连接,以充分达到LTE网络所要求的最高150兆比特每秒的网络传输速率。

  Stefan Wolff介绍说,此次推出的SMARTi UEmicro是英飞凌3G射频发射芯片SMARTi UE系列的第三代新产品。SMARTi UEmicro为超低端3G终端进行了专门的产品优化,采用该器件后,双波段WCAMA/EDGE终端设备的电子射频器件成本可以降低到6.50美元之下。这与目前市场上现有方案相比,成本下降40%。

  Stefan Wolff还指出,这颗芯片在支持四波段GSM/EDGE的同时,还可以同时支持六个3G和LTE波段。在该芯片丰富的功能列表中,包括LTE FDD class 5(下行速率最大可达150兆比特每秒,上行速率最大可达50兆比特每秒)、MIMO Rx diversity(两个下行 + 一个上行)、HSPA+、HSPA、WCDMA和GSM/GPRS/EDGE。该芯片如此广泛的射频波段支持能力,使其能够极好地与全球HSPA/LTE网络无缝配合。SMARTi LU所采用的符合MIPI DigRF v4标准的数字基带芯片接口,为手机系统设计“全数字化”、使基带芯片设计向进一步集成化、向32nm或更精密半导体技术前进提供了保障。

  据了解,SMARTi UEmicro是为配合低端3G手机需求设计的一颗CMOS工艺、单芯片、同时支持2G/3G网络的射频发射器件。通过遵循DigRF v3.09基带芯片通讯接口,该器件在软件和硬件上都达到了先后兼容性。通过减少外接低噪声放大器(LNAs)和采用无接受滤波器的带内射频前端等技术创新,SMARTi UEmicro成为广大超低端3G手机的首选射频器件。SMARTi UEmicro以其无比优异的射频性能,在支持双波段或四波段GSM/EDGE和最多三个WCDMA波段时,达到了系统成本最优化。

  Stefan Wolff表示,从2009年二季度开始,客户即可从英飞凌获得SMARTi UEmicro的样片。预计在2009年底,采用该芯片的客户可开始大规模批量生产。

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